Список научного и технологического оборудования лаборатории ОНЭиДНМ

 

Презентация о деятельности лаборатории органической наноэлектроники и дизайна новых материалов

 

---

 

Лаборатория органической наноэлектроники и дизайна новых материалов (сокращенно – лаборатория ОНЭиДНМ) Единого инновационного комплекса реорганизована в Межвузовском студенческом кампусе Евразийского НОЦ мирового уровня в 2024 г. на основании решения Ученого совета Уфимского университета науки и технологий на базе ранее созданной научной лаборатории «Дизайн новых материалов» Физико-технического института УУниТ (бывш. БашГУ).

 

Руководитель лаборатории органической наноэлектроники и дизайна новых материалов:

Шарафуллин Ильдус Фанисович – sharafullinif@uust.ru

Адрес: г. Уфа, ул. Заки Валиди, 32/2, Межвузовский студенческий кампус Евразийского НОЦ, каб. 215

 

Официальный сайт лаборатории органической наноэлектроники и дизайна новых материалов (лаборатории «Дизайн новых материалов»):

https://uust.ru/research/centers/new-materials-design/

 

---

 

Целью деятельности лаборатории органической наноэлектроники и дизайна новых материалов является получение принципиально новых модифицированных материалов, необходимых для развития органической наноэлектроники и спинтроники.

 

Объектами исследования являются функциональные материалы, обладающие несколькими параметрами порядка, такие, как сверхтонкие магнитоэлектрические фрустрированные гетероструктуры, которые допускают существование достаточно стабильных топологически защищенных вихревых нанообъектов – скирмионов и решеток.

 

---

 

Тематики научной деятельности лаборатории органической наноэлектроники и дизайна новых материалов:

 

• исследование физико-химических, электронных и фотоэлектронных свойств тонких пленок новых органических материалов;
• исследование механизмов транспорта носителей заряда в тонкопленочных органических структура;
• исследование статических, динамических и транспортных свойств спиновых скирмионов в многослойных тонкоплёночных структурах с различными типами межслойного взаимодействия между слоями антиферромагнетик/оксид (АФ/О, где АФ = Fe-Mn, O = CuO, SrO). Разработка способов считывания и записи данных, хранимых в троичных ячейках памяти, и спиновых вихревых состояний на основе наноструктурированных пленок, а также определение оптимальных материалов для таких пленок и сверхрешеток, в целях создания контролируемых электрическим полем ячеек магнитной логики и памяти, магнитных сенсоров;
• разработка и исследование лабораторных образцов тонкопленочных электронных компонентов (полевых транзисторов, фоторезисторов и фототранзисторов) на основе новых органических материалов;
• разработка и исследование лабораторных образцов электронных сенсоров на основе тонких пленок новых органических материалов;
• исследование тонких пленок материалов с магнитными свойствам.