Всероссийский конкурс научно-исследовательских работ студентов и аспирантов проводился в преддверии форума «Наука будущего – наука молодых». В этом году в нем приняли участие свыше 3 тысяч человек из 450 российских научных организаций и университетов. 350 исследователей вышли в финал и представили на форуме свои доклады. Награждение призеров состоялось в Самаре в рамках IX Всероссийского молодежного научного форума «Наука будущего - наука молодых».

Победителем конкурса в научной секции «Информационные технологии и математика» стал младший научный сотрудник НИЛ «Сенсорные системы на основе устройств интегральной фотоники» Иван Степанов, а магистрантка кафедры теоретической физики Анжела Самигуллина получила диплом II степени в секции «Физика и астрономия».

- Тема моей заявки на форум была посвящена повышению пропускной способности оптических каналов связи, что, в принципе, было темой моей выпускной квалификационной работы в аспирантуре. В исследовании представлен подход к увеличению количества передаваемых одновременно информационных каналов с использованием оптических вихревых пучков. Данный подход реализован на основе фотонной интегральной схемы (ФИС) для оптических приёмопередающих устройств. Разработана структура ФИС и результаты её численного моделирования. В дальнейшем на основе данной схемы планируется увеличить количество передаваемых каналов за счёт совмещения предложенного подхода с более классическими методами, такими как уплотнение по длине волны, - пояснил Иван Степанов.

Научные разработки Анжела Самигуллина ведет под руководством профессора Ильдуса Шарафуллина в лаборатории «Дизайн новых материалов». Начинающий исследователь рассказала:

- Тема моей заявки в данном конкурсе НИР «Спиновые волны и фазовые переходы в гелимагнитных пленках с симметрией простой кубической решетки» концентрируется на изучении влияния взаимодействий статистического магнитного поля в структурах типа гелиомагнетика на основе квантово-статистических методов, а также анализе энергетического ландшафта спиновых состояний в магнитных нанопленках.  Исследованы основные состояния фрустрированной пленки и рассмотрено образование скирмионов на интерфейсе пленки.

Станьте соавтором УУНиТ! Присылайте свои новости в наш чат-бот в Telegram. Не забудьте прикрепить фото- или видео- материалы.